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BUV27中文资料

BUV27图片

BUV27外观图

  • 大小：62.15KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 800mA，8A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：-
  • 功率 - 最大：85W
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-7216-5BUV27-ND

BUV27供应商

更新时间:2023-01-28 23:29:29
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